【单选题】【消耗次数：1】
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）
①
突触前轴突末梢超极化
②
突触后膜对钙离子和钾离子通透性增大
③
突触后膜去极化
④
突触后膜出现超极化
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【单选题】
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高
①
Na+，K+，Cl-，尤其K+
②
Ca2+，K+，Cl-，尤其Ca2+
③
Na+，K+，尤其Na+
④
Cl
⑤
-K+，Ca2+，Na+，Cl-，尤其Cl-
【单选题】
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高
①
Na+，K+，Cl-，尤其K+
②
Ca2+，K+，Cl-，尤其Ca2+
③
K+，Cl-，尤其Cl
④
-Na+，K+，尤其Na+
⑤
K+，Ca2+，Na+，Cl-，尤其Cl-
【单选题】
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
①
突触前轴突末梢超极化
②
突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
③
突触后膜去极化
④
突触后膜出现超极化
⑤
突触后膜对Na+通透性增大
【单选题】
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是
①
突触前膜均去极化
②
突触后膜均去极化
③
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④
突触后膜对离子通透性一样
⑤
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【单选题】
抑制性突触后电位是（）
①
去极化局部电位
②
具有全或无性质
③
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④
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⑤
突触后膜Na<sup>+</sup> 通透性增加所致
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①
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②
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③
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④
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①
专利权的期限即专利的有效期限
②
我国发明专利权的期限为20年
③
实用新型和外观设计的专利权的期限是20年
④
专利权均有申请日，即专利局收到专利申请之日起算