【单选题】【消耗次数:1】
设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?},则v1的后继元集G +(v1) =
{v3, v4};
{v1, v3,v4};
{v1, v2, v3, v4};
{v2,v3}。
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【单选题】 设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?},则v1的邻域 N(v1) =
①  {v3, v4};
②  {v2, v3,v4};
③  {v1, v2, v3, v4};
④  {v2,v3}。
【单选题】 设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?},则v1的闭邻域 N(v1) =
①  {v3, v4};
②  {v2, v3,v4};
③  {v1, v2, v3, v4};
④  {v2,v3}。
【单选题】 设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?},则v1的先驱元集G -(v1) =
①  {v3, v4};
②  {v1, v3,v4};
③  {v1, v2, v3, v4};
④  {v2,v3}。
【单选题】 设无向图G1 = áV1, E1?, 其中, V1 = {v1, v2, v3, v4, v5}, E1 = {(v1, v2), (v2, v3), (v3, v4), (v3, v3), (v4, v5)},则v2的邻域 N(v2)为:
①  {v1, v2, v3};
②  {v1, v3};
③  {v1, v2, v3, v4, v5};
④  {v2}。
【单选题】 设有向图D1 = áV3, E3?, 其中 V3 = {v1, v2, v3, v4, v5}, E3 = {áv1, v2?, áv2, v3?, áv3, v2?, áv4, v5?, áv5, v1?},则v2的闭邻域 N(v2)为:
①  {v1, v2, v3};
②  {v1, v3};
③  {v1, v2, v3, v4, v5};
④  {v2}。
【单选题】 已知有向图G=(V,E),其中V={V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7},E={V1,V2V1,V3V1,V4V2,V5V3,V5V3,V6V4,V6V5,V7V6,V7},G的拓扑序列是( )。
①  V1,V3,V4,V6,V2,V5,V7
②  V1,V3,V2,V6,V4,V5,V7
③  V1,V3,V4,V5,V2,V6,V7
④  V1,V2,V5,V3,V4,V6,V7
【单选题】 图1所示电路中,已知V1的读数为3V,V2的读数为4V,则V3的读数为。
①  7V
②  -1V
③  1V
④  5V
【单选题】 图3所示电路中,已知V1的读数为3V,V2的读数为4V,则V3的读数为。
①  7V
②  -1V
③  1V
④  5V
【单选题】 图2所示电路中,已知V1的读数为3V,V2的读数为4V,则V3的读数为。
①  7V
②  -1V
③  1V
④  5V
【单选题】 运行以下程序,从键盘上输入china# #includevoid main() { int v1=0,v2=0; char ch; while((ch=getchar())!=#) switch(ch) { case a: case h: default: v1++; case 0:v2++; } printf(%d,%d\n,v1,v2); } 运行结果( )。
①  2,2
②  3,3
③  4,4
④  5,5
随机题目
【填空题】 温克勒炉是一个高大的圆筒形容器,在结构和功能上可分为两大部分:下部的圆锥部分为[填空(1)],上部的圆筒部分为[填空(2)]。
【填空题】 Atgas法生成的煤气中几乎全是[填空(1)]和[填空(2)]。
【多选题】 常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空(1)],[填空(2)],[填空(3)]以及[填空(4)]。
①  原料的预处理
②  气化
③  粗煤气的显热回收
④  煤气的除尘和冷却
⑤  悬浮床
⑥  常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空],[填空],[填空]以及[填空]。
⑦  悬浮床
【填空题】 高压熔盐法气化流程,用[填空(1)]作为燃烧部分的助燃剂,反应压力为[填空(2)],熔盐池温度为[填空(3)]。
【多选题】 德士古气化工艺可分为[填空(1)]、[填空(2)]、[填空(3)]等几个部分
①  煤浆制备和输送
②  气化和废热回收
③  煤气冷却净化
④  常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空],[填空],[填空]以及[填空]。
【多选题】 熔铁气化法采用[填空(1)]作助熔剂。
①  碳酸钙
②  常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空],[填空],[填空]以及[填空]。
【填空题】 Atgas法以[填空(1)]为气化剂。
【填空题】 熔盐气化法单筒气化炉内分成[填空(1)]和[填空(2)]两部分。
【多选题】 德士古气化法是一种以[填空(1)]为进料的[填空(2)]气化工艺。是在德士古重油气化工业装置的基础上发展起来的煤气化装置。
①  水煤浆
②  加压气流床
③  常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空],[填空],[填空]以及[填空]。
【多选题】 K-T (Koppers-Totzek)气化法是气流床气化工艺中一种[填空(1)]气化制[填空(2)]的方法。
①  常压粉煤
②  合成气
③  常压温克勒工艺流程可以分为四部分:[填空],[填空],[填空]以及[填空]。