【单选题】【消耗次数:1】
对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )
认知策略
元认知
元认知控制
元认知计划
参考答案:
复制
纠错
相关题目
【单选题】 对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )。
①  认知策略
②  元认知
③  元认知控制
④  元认知计划
【单选题】 对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )。
①  认知策略
②  元认知
③  元认知控制
④  元认知计划
【判断题】 元认知监控是指个体在认知活动中主动地产生策略、选择策略、自我控制及调节的过程。(??? )
①  正确
②  错误
【判断题】 对材料进行自我提问属于元认知策略。
①  正确
②  错误
【单选题】 学习策略一般包括认知策略、元认知策略和( )。
①  记忆策略
②  资源管理策略
③  思维策略
④  学习方法
【多选题】 下列属于元认知控制过程的是( )
①  制定认知计划
②  监视计划的执行
③  对认知过程的调整
④  对认知结果的反馈
⑤  管理认知过程中所使用的资源
【多选题】 下列属于元认知计划策略的是( )
①  产生待回答的问题
②  阅读时对注意加以跟踪
③  浏览阅读材料
④  设置学习目标
⑤  分析如何完成学习任务
【多选题】 元认知策略大致可以分为三种,包括( )
①  元认知知识
②  元认知体验
③  监控策略
④  计划策略
⑤  调节策略
【单选题】 下列不属于元认知结构的是( )
①  元认知知识
②  元认知体验
③  元认知反馈
④  元认知监控
【单选题】 下列( )属于元认知的实例。
①  学生在考试之后能准确地预测自己的分数
②  学生在学习中能举一反三
③  学生在阅读时遇到难点停下来思考,或回到前面重新阅读
④  利用复述策略记忆
随机题目
【单选题】 下列寄存器中,可作为十六位寄存器的是()。
①  BP
②  CL
③  DL
④  BH
【单选题】 下列四条指令语句中,错误的是()。
①  MOVDS,2000H
②  ADDDX,[BP]
③  MOVAX,200
④  MOVAX,ARRAY[SI+2]
【单选题】 在任何一个总线周期的T1状态,ALE输出()。
①  高电平
②  低电平
③  高阻态
④  无电流
【单选题】 8086CPU输入/输出指令可寻址外设端口的数量最大可达()。
①  128
②  256
③  16K
④  64K
【单选题】 某CPU有地址线20根,它可连接内存的最大存储容量是()。
①  64KB
②  640KB
③  1MB
④  4MB
【单选题】 某DRAM芯片,其存储容量为512K8位,该芯片的地址线和数据线数目为()。
①  8,512
②  512,8
③  18,8
④  19,8
【单选题】 定义双字变量的定义符是()。
①  DW
②  DQ
③  DD
④  DT
【单选题】 数值64的压缩BCD码是()。
①  01100100B
②  00000110B00000100B
③  01000000B
④  00110110B00110100B
【单选题】 将BX中存放的有符号数数值除以2的正确指令是()。
①  SHRBX,1
②  SARBX,1
③  RORBX,1
④  RCRBX,1
【单选题】 8086/8088的中断向量表是()。
①  存放中断类型号
②  存放中断服务程序入口地址
③  中断服务程序的入口
④  中断服务程序的返回地址