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【单选题】【消耗次数:1】
对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )
①
认知策略
②
元认知
③
元认知控制
④
元认知计划
参考答案:
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相关题目
【单选题】
对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )。
①
认知策略
②
元认知
③
元认知控制
④
元认知计划
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【单选题】
对认知的认知,即个体对认知活动的自我意识与调节是指( )。
①
认知策略
②
元认知
③
元认知控制
④
元认知计划
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【判断题】
元认知监控是指个体在认知活动中主动地产生策略、选择策略、自我控制及调节的过程。(??? )
①
正确
②
错误
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【判断题】
对材料进行自我提问属于元认知策略。
①
正确
②
错误
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【单选题】
学习策略一般包括认知策略、元认知策略和( )。
①
记忆策略
②
资源管理策略
③
思维策略
④
学习方法
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【多选题】
下列属于元认知控制过程的是( )
①
制定认知计划
②
监视计划的执行
③
对认知过程的调整
④
对认知结果的反馈
⑤
管理认知过程中所使用的资源
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【多选题】
下列属于元认知计划策略的是( )
①
产生待回答的问题
②
阅读时对注意加以跟踪
③
浏览阅读材料
④
设置学习目标
⑤
分析如何完成学习任务
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【多选题】
元认知策略大致可以分为三种,包括( )
①
元认知知识
②
元认知体验
③
监控策略
④
计划策略
⑤
调节策略
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【单选题】
下列不属于元认知结构的是( )
①
元认知知识
②
元认知体验
③
元认知反馈
④
元认知监控
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【单选题】
下列( )属于元认知的实例。
①
学生在考试之后能准确地预测自己的分数
②
学生在学习中能举一反三
③
学生在阅读时遇到难点停下来思考,或回到前面重新阅读
④
利用复述策略记忆
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随机题目
【单选题】
下列寄存器中,可作为十六位寄存器的是()。
①
BP
②
CL
③
DL
④
BH
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【单选题】
下列四条指令语句中,错误的是()。
①
MOVDS,2000H
②
ADDDX,[BP]
③
MOVAX,200
④
MOVAX,ARRAY[SI+2]
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【单选题】
在任何一个总线周期的T1状态,ALE输出()。
①
高电平
②
低电平
③
高阻态
④
无电流
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【单选题】
8086CPU输入/输出指令可寻址外设端口的数量最大可达()。
①
128
②
256
③
16K
④
64K
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【单选题】
某CPU有地址线20根,它可连接内存的最大存储容量是()。
①
64KB
②
640KB
③
1MB
④
4MB
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【单选题】
某DRAM芯片,其存储容量为512K8位,该芯片的地址线和数据线数目为()。
①
8,512
②
512,8
③
18,8
④
19,8
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【单选题】
定义双字变量的定义符是()。
①
DW
②
DQ
③
DD
④
DT
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【单选题】
数值64的压缩BCD码是()。
①
01100100B
②
00000110B00000100B
③
01000000B
④
00110110B00110100B
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【单选题】
将BX中存放的有符号数数值除以2的正确指令是()。
①
SHRBX,1
②
SARBX,1
③
RORBX,1
④
RCRBX,1
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【单选题】
8086/8088的中断向量表是()。
①
存放中断类型号
②
存放中断服务程序入口地址
③
中断服务程序的入口
④
中断服务程序的返回地址
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