【单选题】【消耗次数:1】
静态存储器的英文缩写为______。
SRAM
DRAM
SAM
RAM
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相关题目
【单选题】 同步动态存储器的英文缩写为______。
①  SDRAM
②  DRAM
③  DSRAM
④  SLRAM
【单选题】 半导体静态存储器SRAM的存储原理是______。
①  依靠双稳态电路
②  依靠定时刷新
③  依靠读后再生
④  信息不再变化
【单选题】 半导体静态存储器SRAM的存储原理是?
①  依靠双稳态触发电路
②  依靠定时刷新
③  依靠读后再生
④  信息不再变化
【单选题】 SRAM存储器是()存储器。
①  螁 静态随机
②  静态只读
③  动态随机
④  动态只读
【单选题】 在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是。
①  腿 按位结构方式存储
②  按字结构方式存储
③  信息在存储介质中移动
④  每隔一定时间刷新一次
【单选题】 随机存取存储器的英文首字母缩写是( )。
①  RAM
②  CPU
③  ROM
④  DVD
【简答题】 按照存储器的读写功能分类,存储器可分为RAM和ROM,RAM称为[填空1],ROM称为[填空2]
【单选题】 关于随机存储器RAM,不具备的特点是()
①  RAM中的信息可读可写
②  RAM是一种半导体存储器
③  RAM中的信息不能长期保存
④  RAM用来存放计算机本身的监控程序
【单选题】 微机中的内存储器(RAM)的功能是( )。
①  存储程序和数据
②  输出数据
③  输入数据
④  仅存储数据
【判断题】 掉电后信息不丢失的存储器是RAM。
①  正确
②  错误
随机题目
【单选题】 土方开挖的顺序、方法必须与设计工况相一致,并遵循“( )”的原则。
①  开槽支撑、先撑后挖、分层开挖、严禁超挖
②  开槽支撑、先挖后撑、分层开挖、严禁超挖
③  开槽支撑、光撑后挖、整体开挖、严禁超挖
④  开槽支撑、先挖后撑、整体开挖、严禁超挖
【单选题】 基坑开挖好后,若不能立即进行下一道工序,要预留( )cm厚覆盖土层,待基础施工时再挖去。
①  10~25
②  10~30
③  15~25
④  15--30
【单选题】 在临边堆放弃土,材料和移动施工机械应与坑边保持一定距离,当土质良好时,要距坑边( )。
①  0.5 m以外,高度不超0.5 m
②  1.0m以外,高度不超1.5 m
③  1.0 m以外,高度不超1.0m
④  1.5 m以外,高度不超2.0m
【单选题】 人工开挖土方时,若采用前后作业,作业人员的操作间距应不小于( )m。
①  1
②  2
③  3
④  4
【单选题】 人工开挖土方时,若采用左右作业,作业人员的操作间距应不小于( )m。
①  1
②  2
③  3
④  4
【单选题】 基坑排水工作应持续到( )。
①  排干净水
②  基坑开挖完毕
③  排水差不多便可
④  基础工程完毕,进行回填后
【单选题】 下列做法中,( )对土方边坡稳定不利。
①  堆物远离坡顶
②  防止施工用水渗入边坡
③  坡顶设置震动设备
④  雨天用彩条布临时遮盖边坡
【单选题】 基坑(槽)四周排水沟及集水井应设置在( )。
①  基础范围以外
②  堆放土以外
③  围墙以外
④  基础范围以内
【单选题】 深基坑开挖作业中发生开裂、落石、有坍塌迹象时,应( )作业。
①  立即停止所有
②  立即停止人工
③  立即停止机械
④  继续
【单选题】 ( )不适合采用人工挖孔的施工方法。
①  无水的密实土层
②  少水的密实土层
③  少水的岩层
④  少水的砂层