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【单选题】【消耗次数:1】
某DRAM芯片,其存储容量为512K8位,该芯片的地址线和数据线数目为()。
①
8,512
②
512,8
③
18,8
④
19,8
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【单选题】
某DRAM芯片,其存储容量为512K×8位,该芯片的地址线和数据线数目为______
①
8,512
②
512,8
③
18,8
④
19,8
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【单选题】
某存储器芯片的存储容量为8K×12位,则它的地址线为_C___。
①
11
②
12
③
13
④
14
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【单选题】
存储器容量为64K8的芯片,其地址线的根数为( )
①
24
②
20
③
16
④
8
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【单选题】
存储器容量为64K*8的芯片,其地址线的根数为()
①
24
②
20
③
16
④
8
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【单选题】
一个256K×8的存储器,其地址线和数据线总和为______。
①
16
②
18
③
26
④
.20
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【单选题】
一个16K×8位的存储器,其地址线和数据线的总和是( )。
①
48
②
46
③
17
④
22
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【单选题】
一个ROM共有10根地址线,8根位线(数据输出线),则其存储容量为( )
①
10×8
②
102×8
③
10×82
④
210×8
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【单选题】
访问外部存贮器或其它接口芯片时,作数据线和低8位地址线的是____。
①
P0口
②
P1口
③
P2口
④
P3口
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【单选题】
一个16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是___。
①
48
②
46
③
36;
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【简答题】
要组成容量为4K*8位的存储器,需要[填空1]片4K×1位的芯片并联,或者需要[填空2]片1K×8位的芯片串联。
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随机题目
【判断题】
当直杆受到与杆的轴线平行但不通过截面形心的拉力或压力作用时,即为偏心拉伸。
①
正确
②
错误
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【填空题】
如果作用在物体上的两个力系作用效果相同,则互为[填空1] 。
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【填空题】
[填空1] 多个载荷同时作用于结构而引起的变形等于每个载荷单独作用于结构而引起的变形的代数和。
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【填空题】
[填空1] 表示沿杆件轴线各横截面上扭矩变化规律的图线。
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【填空题】
受力杆件(物体)某一截面的M点附近微面积ΔA上分布内力的平均集度即[填空1]。
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【填空题】
[填空1] 定理是指平面汇交力系的合力对平面内任一点的矩,等于所有各分力对同一点的矩的代数和。
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【填空题】
用函数关系表示沿梁轴线各横截面上剪力的变化规律,称作[填空1] 方程。
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【填空题】
[填空1]是指物体相对于惯性参考系保持静止或作匀速直线运动的状态。
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【填空题】
[填空1]定理是指刚体受三力作用而平衡,若其中两力作用线汇交于一点,则另一力的作用线必汇交于同一点,且三力的作用线共面。
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【填空题】
作用于刚体上的两个力,使刚体平衡的必要与充分条件是:[填空1][填空2][填空3]。
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