【单选题】【消耗次数:1】
某DRAM芯片,其存储容量为512K8位,该芯片的地址线和数据线数目为()。
8,512
512,8
18,8
19,8
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【单选题】 某DRAM芯片,其存储容量为512K×8位,该芯片的地址线和数据线数目为______
①  8,512
②  512,8
③  18,8
④  19,8
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【单选题】 存储器容量为64K*8的芯片,其地址线的根数为()
①  24
②  20
③  16
④  8
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①  镍镉电池
②  锂离子电池
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①  钠硫电池
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① 
② 
③ 
④ 
【单选题】 锂离子电池失效的重要原因是活性物质( )消耗。
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②  不可逆
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