【单选题】【消耗次数：1】
突触前抑制的发生是由于（）
①
突触前膜兴奋性递质释放量减少
②
突触前膜释放抑制性递质
③
突触后膜超极化
④
交互抑制
⑤
中间抑制性神经元兴奋
参考答案：
复制
纠错
相关题目
【单选题】
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是
①
突触前膜均去极化
②
突触后膜均去极化
③
突触前膜释放的递质性质一样
④
突触后膜对离子通透性一样
⑤
产生的突触后电位的最终效应一样
【单选题】
突触前抑制的特点是
①
突触前膜释放兴奋性递质减少
②
突触前膜超极化
③
突触后膜的兴奋性降低
④
突触前轴突末梢释放抑制性递质
⑤
结构基础是神经元的轴突-树突联系
【单选题】
动作电位到达突触前膜引起递质释放，与下列哪项有关（）
①
Ca<sup>2+</sup> 外流
②
K<sup>+</sup> 外流
③
Na<sup>+</sup> 内流
④
K<sup>+</sup> 内流
⑤
Ca<sup>2+</sup> 内流
【单选题】
抑制性突触后电位是（）
①
去极化局部电位
②
具有全或无性质
③
超极化局部电位
④
突触前膜递质释放量减少所致
⑤
突触后膜Na<sup>+</sup> 通透性增加所致
【单选题】
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高
①
Na+，K+，Cl-，尤其K+
②
Ca2+，K+，Cl-，尤其Ca2+
③
Na+，K+，尤其Na+
④
Cl
⑤
-K+，Ca2+，Na+，Cl-，尤其Cl-
【单选题】
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高
①
Na+，K+，Cl-，尤其K+
②
Ca2+，K+，Cl-，尤其Ca2+
③
K+，Cl-，尤其Cl
④
-Na+，K+，尤其Na+
⑤
K+，Ca2+，Na+，Cl-，尤其Cl-
随机题目
【单选题】
两个进程合作完成一个任务，在并发执行中，一个进程要等待其合作伙伴发来信息，或者建立某个条件后再向前执行，这种关系是进程间的（ ）关系。
①
同步
②
互斥
③
竞争
④
合作
【单选题】
可重定位分区存储管理采用的地址转换公式是（）。
①
绝对地址=界限寄存器值+逻辑地址
②
绝对地址=下限寄存器值+逻辑地址
③
绝对地址=基址寄存器值+逻辑地址
④
绝对地址=块号?块长+页内地址