兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为

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【单选题】【消耗次数：1】

① 极化

② 超极化

③ 后电位

④ 复极化

⑤ 去极化

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【单选题】兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是

① 突触前膜均去极化

② 突触后膜均去极化

③ 突触前膜释放的递质性质一样

④ 突触后膜对离子通透性一样

⑤ 产生的突触后电位的最终效应一样

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【判断题】动作电位的锋电位是由去极化和复极化组成的。

① 正确

② 错误

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【单选题】兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高

① Na+，K+，Cl-，尤其K+

② Ca2+，K+，Cl-，尤其Ca2+

③ K+，Cl-，尤其Cl

④ -Na+，K+，尤其Na+

⑤ K+，Ca2+，Na+，Cl-，尤其Cl-

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【单选题】抑制性突触后电位是（）

① 去极化局部电位

② 具有全或无性质

③ 超极化局部电位

④ 突触前膜递质释放量减少所致

⑤ 突触后膜Na<sup>+</sup> 通透性增加所致

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【判断题】产生兴奋性突触后电位过程中，突触后膜对钠离子、钾离子、钙离子，特别是钾离子，通透性升高。

① 正确

② 错误

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【单选题】兴奋性突触后电位的产生，是由于提高了下列哪种离子的通透性

① Ca2+

② C1

③ -K+

④ Na+和K+，尤其是Na+

⑤ C1-和K+，尤其是C1-

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【单选题】胃肠平滑肌动作电位去极化产生的主要离子基础是:

① K+内流

② Na+内流

③ Ca2+内流

④ Ca2+和 K+内流

⑤ Na+内流和K+内流

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【单选题】关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

① 突触前轴突末梢超极化

② 对Ca2+、K+通透性增大

③ 突触后膜出现超极化

④ 突触后膜去极化

⑤ 突触后膜出现复极化

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【单选题】关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）

① 突触前轴突末梢超极化

② 突触后膜对钙离子和钾离子通透性增大

③ 突触后膜去极化

④ 突触后膜出现超极化

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【单选题】关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

① 突触前轴突末梢超极化

② 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大

③ 突触后膜去极化

④ 突触后膜出现超极化

⑤ 突触后膜对Na+通透性增大

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【判断题】 ADC0809是8位逐次逼近型A/D转换芯片

① 正确

② 错误

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【判断题】若[X]原=[X]反=[X]补，则该数X为正数。

① 正确

② 错误

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【单选题】在8086环境下，对单片方式使用的8259A进行初始化时，必须放置的初始化命令字为（）。

① ICW1,ICW2,ICW3

② ICW1,ICW2,ICW4

③ ICW1,ICW3,ICW4

④ ICW2,ICW3,ICW4

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【单选题】在8086/8088CPU中，一个最基本的总线读写周期内，在T1状态，CPU往总线上发（）信息。

① 数据

② 地址

③ 状态

④ 其它

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【单选题】在8086CPU中，指令指针寄存器是（）。

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① 地址

② 数据

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① A0～A19

②

③ A和B

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② 错误

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① 正确

② 错误

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