第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。。

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【多选题】【消耗次数：1】

① 砷化镓

② 氮化镓

③ 氧化锌

④ 碳化硅

⑤ 金刚石

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① 电子管

② 小规模集成电路

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① 电子管

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① 集成电路

② 晶体管

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① 弯矩图发生突变，突变值为集中力的大小；剪力图没有变化

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③ 弯矩图不发生突变，但是斜率改变，改变值为集中力的大小；剪力图没有变化

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③ 直杆结构时为直线，曲杆结构时为曲线

④ 说不清

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① 1

② 2

③ 3

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